中科大在InGaAs单光子探测芯片取得重要进展
发布时间：2025-07-08 23:34:46 作者：玩站小弟 
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我要评论近日，中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的InGaAs砷化铟镓）单光子探测器芯片取得重要进展。前述团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗
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近日，中科中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的大Is单得重InGaAs（砷化铟镓）单光子探测器芯片取得重要进展。
前述团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光探光学性能，完成低本征暗计数的测芯单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的进展全国产化，为解决我国前沿科技问题迈进了重要一步。中科相关成果在线发表于电子工程技术领域期刊Journal of Lightwave Technology。大Is单得重
图片来自Journal of Lightwave Technology基于InGaAs材料的光探半导体单光子雪崩二极管（SPAD）具有单光子级别的高灵敏度、短波红外波段的测芯人眼安全、大气窗口波段低损耗、进展穿透雾霾、中科低功耗、大Is单得重小尺寸、光探易于集成等优秀特点。测芯
前述优点使SPAD在量子信息技术、进展主被动的焦平面探测器、城市测绘、激光雷达等多个领域均发挥着重要作用，具有民用、商用以及军用价值。
中科大团队通过调整MOCVD的温度、V/III比、掺杂浓度等生长参数，实现低缺陷密度和高掺杂精度的外延结构生长。其中，MOCVD是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
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