英特尔与Brookfield达成300亿美元协议 共同扩产芯片厂
发布时间：2025-07-08 21:31:27 作者：玩站小弟 
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我要评论(INTC.US)发布公告称，与加拿大Brookfield基础设施(BIP.US)签署了业内首份半导体联合投资项目SCIP）协议，双方将共同出资300亿美元用来建设亚利桑那州钱德勒市的芯片厂扩产计划，
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(INTC.US)发布公告称，英特与加拿大Brookfield基础设施(BIP.US)签署了业内首份半导体联合投资项目（SCIP）协议，成亿厂双方将共同出资300亿美元用来建设亚利桑那州钱德勒市的美元芯片厂扩产计划，预期将在年底完成出资。协议芯片
英特尔表示，共同该协议将有助于加速其IDM 2.0战略。扩产根据该协议，英特英特尔将为其此前宣布的成亿厂亚利桑那州奥科蒂略(Ocotillo)园区的扩张提供51%的资金，Brookfield基础设施将支付剩余49%的美元资金。英特尔将保留该工厂的协议芯片多数所有权和运营控制权。
英特CFO David Zinsner表示，共同这是扩产基于美国最近通过的《芯片法案》(CHIPS Act)，该法案为扩大国内半导体生产提供了520亿美元的英特补贴和补助。
Zinsner解释说，成亿厂“半导体制造业是美元世界上资本最密集的行业之一，英特尔大胆的IDM 2.0战略需要一种独特的融资方式。”“我们与Brookfield的协议是我们行业的第一次，我们希望这将使我们增加（财务）灵活性，同时保持我们的资产负债表上，创建一个更分散和更有弹性的供应链。”
该交易预计将于2022年底完成。
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